手机主板
工艺展示
| 层数 | 10L |
| 产品结构 | 2+6+2 |
| 板厚 | 0.7mm |
| 材料 | EM-285 |
| 线宽/线距 | 0.05/0.05mm |
| 最小激光钻孔孔径 | 0.1mm |
| 表面处理 | 沉金+OSP |
HDI作为高密度互连技术的核心载体，专注于解决电子设备微型化与高性能化的互联需求。其通过微盲孔、40/40μm精细线路及叠孔（Stack via）、填孔（Copper fill）等工艺实现超高密度布线，使元器件在紧凑空间内达到最优布局。该技术具备任意层互连（ELIC）、高纵横比微孔加工及卓越信号完整性控制能力，可有效提升高频性能并减少干扰。江门二厂已成功开发10L/12L ELIC、2+N+N+2、4+N+4等先进结构，广泛应用于智能手机、高端穿戴设备及医疗微系统等领域，持续推动电子产品向轻薄化、多功能化发展。
工艺展示
| 层数 | 10L |
| 产品结构 | 2+6+2 |
| 板厚 | 0.7mm |
| 材料 | EM-285 |
| 线宽/线距 | 0.05/0.05mm |
| 最小激光钻孔孔径 | 0.1mm |
| 表面处理 | 沉金+OSP |
工艺展示
| 层数 | 12L Anylayer |
| 板材 | EM-390无卤素 |
| 板厚 | 0.8±0.08 mm |
| 线宽/线距 | 0.04/0.05mm |
| 镭射孔径 | 0.075mm |
| 表面处理 | 沉镍金+抗氧化 |
工艺展示
| 层数 | 12L BU5 5阶(Anylayer) |
| 板材 | EM-526 |
| 板厚 | 0.94+/-0.10mm |
| 线宽/线距 | 0.05/0.05mm |
| 最小孔径 | 0.1mm |
| 表面处理 | 沉镍金 |
工艺展示
| 层数 | 10L(2+6+2） |
| 板材 | NY-3170M |
| 板厚 | 0.8mm |
| 线宽/线距 | 0.06/0.06mm |
| 镭射孔径 | 0.1mm |
| 表面处理 | OSP |
工艺展示
| 层数 | 12L( 4+4+4) |
| 板厚 | 1.2+/-0.12mm |
| 材料 | EM-390 |
| 线宽/间距 | 0.06/0.06mm |
| 镭射孔径 | 0.1mm |
| 表面处理 | ENIG |
江门二厂产品主要应用于手机、平板和LED等领域
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